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雖然設(shè)計緊湊，可 沉積到 ±8 英寸晶圓上，但樣品為 ±3 英寸晶圓，可同時沉積 5 個晶圓，4 英寸晶圓可同時形成 3 個薄膜，1 個 ±8 英寸晶圓可以沉積。
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在廣泛的膜質(zhì)量控制 SiN沉積中，應(yīng)力控制范圍從800MPa到壓縮200MPa不等。 此外，通過改變氣體流速比，還可以控制折射率。
